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LA MEMORIA RAM TIPO DDR4

 

 

Índice de contenidos concisos y enlaces

 
-  Funcionamiento DDR4
    ♦ Definición DDR4
    ♦ Características DDR4
-  
     DD4 partes
- Conectores DDR4
- DDR4 velocidad
- El tiempo de acceso DDR4
    ♦ Latencia DDR4 (CL)
     Capacidades DDR4
     Usos DDR4
- Memoria SODDR4
-  Definición SODDR4
    ♦ Características SODDR4
    ♦ Memoria GDDR4
- Auto evaluación, buscadores, dudas y correcciones sobre los temas
 

Ilustración del tema

  - Animación del funcionamiento de una memoria DDR4

    Como apoyo a la comprensión del tema, te ofrecemos una animación sobre el funcionamiento interno de una memoria RAM:

Figura 1. Animación de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo indica el valor 1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo indica el valor 0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la información se pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un 1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente poco eficaces.

 

 
 - Definición de memoria tipo DDR4

     DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

 

Temas y enlaces relacionados

 
-
    • Memoria DIMM
    • Memoria DDR1
    • Memoria DDR2
    • Memoria RIMM

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Actualmente está en fase de presentación y no se comercializa, pero se espera que sea el reemplazo del estándar de memorias RAM tipo DDR-3 ("Double Data Rate - 3 ").

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-4, marca Samsung®, voltaje 1.2V

- Características generales de la memoria DDR3
 
    + Cuentan con 240 terminales para la conexión a la Motherboard.
    + Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.

    + Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.

    + Utiliza la tecnología de 30 nanómetros para su fabricación.
    + Tiene un voltaje de alimentación de 1.2 Volts, menor a las anteriores por lo que según la firma, es más ecológica.

- Partes que componen la memoria DDR4

     Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

Figura 3. Esquema de partes de la memoria DDR-4

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector de 240 terminales: base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR4.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR4.

 

- Conectores - terminales para la ranura

     Solo hay una versión física:

Conector Figuras
DDR-4 240 terminales
Conector de la memoria

Ranura de la tarjeta principal (similar)
 

 

- Velocidad de la memoria DDR4

     La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR-4, tiene principalmente una velocidad dada a conocer, a la cuál se tienen que adaptar los demás componentes del resto del sistema. Básicamente se presentó la siguiente:

Nombre asignado Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")
DDR4 PC4-14900E 2133 MHz - 4266 Mhz

- El tiempo de acceso de la memoria DDR-4

     Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
DDR4 PC4-14900E (No disponible) nseg.

- Latencia de la memoria DDR-4

     CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)
DDR4 PC4-14900E 13


- Capacidades de almacenamiento DDR-4

     La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-4 es el GigaByte (GB). El modelo presentado es el siguiente:

Tipo de memoria Capacidad en GigaBytes (GB)

DDR-4 240 terminales en un sólo módulo

2 GB


- Usos específicos de la memoria DDR-4

     Los DDR-4 de 240 terminales se busca sea el formato futuro de memorias RAM, compatibles con modelos próximos de procesadores y placas en el año 2015 aproximadamente.

- La memoria SODDR4 (Variante DDR4)
   

Figura 4. Memoria SODDR4, 204 terminales, marca Hynix®, 2400 Mhz

      Significado de SODDR4: proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 4"), siendo la variante de memoria DDR4 para computadoras portátiles.

       Características de la memoria SODDR4:

      + Cuentan con 204 terminales, especiales para computadoras portátiles.

     + Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad, etc. son iguales a la del formato DDR4 para computadora de escritorio.

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